» » » Новый GaN транзистор компании Toshiba America Electronic Components

Новый GaN транзистор компании Toshiba America Electronic Components

1741 0

   Компания Toshiba America Electronic Components представила новый GaN транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT) TGI1314-25L, который оптимизирован для применения в спутниковых телекоммуникационных приложениях Ku-диапазона, включая VSAT. Диапазон рабочих частот транзистора от 13.75 ГГц до 14.5 ГГц. Компонент обеспечивает выходную мощность +44 дБм при входном уровне +39 дБм. Коэффициент усиления в линейном режиме 8 дБ, ток потребления 2.5 А.

   Источник


Комментариев пока нет, добавьте свой!