» » » GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices

GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices

2521 0

   Компания RF Micro Devices, ведущий разработчик и изготовитель радиочастотных компонентов и полупроводников, представила 75 Вт нитрид галлиевый (GaN) несогласованный транзистор RF3932, имеющий высокий КПД и превосходящий по характеристикам транзисторы, выполненные по арсенид галлиевой (GaAs) и кремниевой технологии. Компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 0 до 3 ГГц. Пиковое значение КПД составляет более 65%. На базе GaN процесса компании RFMD могут быть созданы малогабаритные и высокоэффективные усилители мощности для таких приложений как частная мобильная связь, 3G/4G беспроводная инфраструктура, ISM, военные и гражданские радары, а также сети передачи CATV.

   Источник


Комментариев пока нет, добавьте свой!